國產(chǎn)光刻機重大突破 工信部印發(fā)推廣指導

　　9月18日，光刻機板塊掀起漲停潮。 張江高科、同飛股份、波長光電、海立股份漲停，新萊應(yīng)材、富樂德、藍英裝備漲超10%，東方嘉盛、國林科技、京華激光、凱美特氣跟漲。

　　消息面上，為促進首臺(套)重大技術(shù)裝備創(chuàng)新發(fā)展和推廣應(yīng)用，加強產(chǎn)業(yè)、財政、金融、科技等國家支持政策的協(xié)同，工信部于9月9日印發(fā)《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導目錄(2024 年版)》(以下簡稱《目錄》)通知，在文件列表包含國產(chǎn)氟化氪光刻機(110nm)，和氟化氬光刻機(65nm)等集成電路關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備。

　　工信部微信公眾號“工信微報”介紹，重大技術(shù)裝備是國之重器，事關(guān)綜合國力和國家安全。中國首臺(套)重大技術(shù)裝備是指國內(nèi)實現(xiàn)重大技術(shù)突破、擁有知識產(chǎn)權(quán)、尚未取得明顯市場業(yè)績的裝備產(chǎn)品，包括整機設(shè)備、核心系統(tǒng)和關(guān)鍵零部件等。

　　《目錄》中的電子專用裝備目錄下提到，集成電路生產(chǎn)設(shè)備方面包括化氟化氪光刻機，光源248納米，分辨率≤110nm，套刻≤25nm;氟化氬光刻機，光源193納米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。

　　除了光刻機，其他集成電路生產(chǎn)設(shè)備還包括硅外延爐、濕法清洗機、氧化爐、涂膠顯影機、高能離子注入機、低能離子注入機、等離子干法刻蝕機、特征金屬膜層刻蝕機、化學氣相沉積設(shè)備、物理氣相沉積裝備、化學機械拋光機、激光退火裝備、光學線寬量測裝備等。

　　目前來說，光刻機共經(jīng)歷了六代的發(fā)展，從最早的 436nm 波長，再到第二代光刻機開始使用波長 365nm i-line，第三代則是 248nm 的 KrF 激光，第四代就是 193nm 波長的 ArF 光刻機，屬于干式DUV光刻機。第五代是ArFi，即浸沒式DUV光刻機。第六代指的是極紫外EUV光刻機。

　　國際方面，9月6日，荷蘭政府宣布，擴大光刻機出口管制范圍至浸沒式深紫外光刻設(shè)備。這與美國去年10月更新的先進芯片制造技術(shù)出口管制政策進行了“對齊”。此前，荷蘭政府對光刻機的出口限制措施還沒有如此嚴格?，F(xiàn)在，荷蘭政府自己收緊了對光刻機的出口限制——阿斯麥如果要向中國出口TWINSCAN NXT：1970i和1980i型號浸潤式DUV光刻系統(tǒng)，需要先向荷蘭政府申請出口許可證。而更先進的極紫外(EUV)光刻機此前早已被完全禁止出口中國。

　　中國商務(wù)部新聞發(fā)言人9月8日表示，近來，中荷雙方就半導體出口管制問題開展了多層級、多頻次的溝通磋商。荷方在2023年半導體出口管制措施的基礎(chǔ)上，進一步擴大對光刻機的管制范圍，中方對此表示不滿。

　　文/北京青年報記者 朱開云